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比利时imec的“AdvancedRF”计划是一项竞争前的研究计划，旨在为5G以上和GHz以上的设备，系统和网络创建路线图。该计划将研究使用由化合物和CMOS半导体制成的混合IC，以在GHz以上的载频上实现非常高的带宽和能效。imec将寻求多个合作伙伴资助和参与这项工作，并共同制作原型，以展示各种电路和系统的潜力。它已经是EUTaranto项目的一部分，该项目生产了紧凑的GHz无线电模块，该模块可实现高达80Gbit/s的单链路数据速率。“还有6G上的确切特性和性能规格一些讨论，因为实际的标准化工作尚未开始，”IMEC的的连通域副总裁MichaelPeeters在R＆d活动的一份声明中说。“不过，显而易见的是，下一代无线网络将大大超过上一代。预计的功能包括Gbit/s的单链路吞吐量，微秒级延迟和显着更高的能源效率——不到1纳焦/位。”“我们认为，这对于实现诸如人工智能（AI）等自动驾驶系统之间的联合学习这样的概念至关重要，其他用例包括在人口稠密的城市中心部署超高速，超可靠的移动热点，沉浸式增强现实（AR）应用程序和全息技术得到了支持。”硅目前缺乏以期望的速率和能量效率进行传输的能力，因此需要添加化合物半导体电路。“新的III-V材料（例如磷化铟（InP））可能提供了一种出路，但尚未将其集成到硅平台上。因此，我们将专门研究III-V/CMOS混合方法。我们将研究如何将III-V材料与CMOS技术异构结合，这些材料在可靠性方面如何发挥作用，起作用的降解机制如何，等等。在这些见解的基础上，我们旨在创建高效，低成本的移动设备技术。-有效地在GHz甚至更高的频率下运行。同样，对于高比特率接口的当前默认选择——正交频域复用（OFDM），可能不再是在GHz以上运行的6G系统的正确选择。更高频率的更多定向波束可以更加积极地利用空间复用。可能需要网格划分以及数据和控制的更大分离。“人们普遍认为，未来的移动网络将必须在GHz以上的频率下运行，才能提供Gbit/s或更高的数据速率。但是，到目前为止，尚缺乏清晰，成熟的基础技术开发途径，”imec首席执行官LucVandenhove说，“通过我们的AdvancedRF计划，我们的目标是将影响力扩展到超出我们在半导体领域的先驱角色，提供有关整个连接生态系统的见识和技术，不仅涉及启用6G的方面，而且还适用于下一代Wi-Fi通讯”。★点击文末，可查看本文原链接。*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
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