上接《射频功率放大器设计基础s1》
需要视频资料下载的同学请文末留言。
今天我们接着学习田庆诚老师的第二课，关于有源器件和S参数部分，下面是授课视频，该视频有部分内容是第一节的讲义。大家可以先观看视频，然后后面是授课讲义。我们在文章中一起学习一下讲义部分。
将一部分如下，我们一起来学习一下。
首先给出了常见的射频功率放大器的框图，这个框图，我们需要注意上面那个DCBias，这个就是放大器晶体管的直流偏置，有源电路的源就在于这个DCbias上面，同时我们要知道，放大器不会平白无故的放大信号，这部分放大的能量来自于DCbias，这里就涉及到在基础上提到的放大器的种类，我们根据偏执电流来决定放大器到底是工作在A类，B类还是AB类。这就涉及到放大器的效率问题。
另外两个比较重要的就是输入/输出匹配电路，阻抗匹配在射频设计中是一个相当重要的一环，我们在《一文掌握阻抗匹配》中详细介绍过各种匹配电路的匹配方法。大家可以参考阅读。
下面是晶体管的介绍，超详细讲解射频芯片工作原理，这里有双极管和场效应管，我们看每一种晶体管的简单介绍。
对于晶体管的特性，在器件的datasheet上面有详细的描述，阅读datasheet也是射频工程师的一个重要技能之一。我们在转载文章《学会阅读Datasheet》详细介绍过datasheet的阅读技巧。对于放大器的设计，现场应用工程师可以给我们很好的demo板子进行参考设计，但是，不仅要知其然还要知其所以然。
下图就是BFP的DCBias设置
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